阿波羅網王篤若報導/中共正以前所未見的速度追趕先進記憶體產業，引發韓美同業壓力。但產業界普遍認為，儘管中共大規模砸錢，韓國記憶體產業的核心優勢仍難以撼動，因為這個高度依賴長期量產經驗與製程熟練度的產業，資金無法直接兌換技術成熟度。
在當局強力扶植下，中共國最大DRAM廠長鑫存儲（CXMT）加速擴張並籌備上市。儘管進展顯著，但全球DRAM市場仍由三星電子、SK海力士與美光三強主導，合計市佔逾90%，關鍵優勢集中在先進DRAM與AI核心所需的高頻寬記憶體（HBM）。
韓國廠商憑藉數十年量產經驗、與一線客戶深度協作，以及將複雜製程穩定轉化為高良率產能的能力，構築難以複製的護城河。其已率先商用DDR5，並量產HBM3E，着手佈局HBM4，持續拉開技術差距。
相較之下，長鑫存儲成立僅十餘年，至2025年才首度轉盈，全球DRAM市佔約4%。雖已量產DDR5與LPDDR5X，並計劃切入HBM3，但在10奈米等級製程上仍落後2至3年，多停留在1z節點，而國際大廠已推進至1b、1c世代，在效能、功耗與成本上持續被拉開。
在NAND方面，中共差距相對較小，已能生產232層產品，雖仍落後三星與SK海力士的286–321層，但並非不可追趕。然而在HBM領域，中共在堆疊精度、散熱與穩定良率上明顯落後。多位韓國產業老將直言，半導體不是「有錢就會」，一旦錯過世代轉換，即便取得中低階市佔，也難以撼動高端格局。
阿波羅網評論員王篤然指出，中國記憶體產業的「速度感」更多來自行政動員，而非技術內生突破。在半導體這種以失敗經驗堆積成功率的產業中，體制擅長集中資源，卻難以複製長期試錯與客戶磨合形成的隱性能力。「錢能買設備，但買不到時間。」
