中國記憶體廠正加速佈局HBM，但關鍵環節出現卡點。國內最大DRAM廠長鑫存儲的HBM3進展受阻，其作為第四代HBM方案，原計劃2026年上半年發佈，目前仍停留測試階段，且尚未獲得任何量產訂單。
業內人士透露，HBM3所需原料僅能支撐樣品生產，遠未具備大規模量產條件，甚至今年內完成量產準備的可能性也被認為較低。
與此同時，中國AI市場快速擴張，對HBM需求激增。國內廠商雖已推出HBM3樣品，擬配套新一代AI晶片，但受制於量產能力，供應鏈瓶頸已開始顯現。
封裝端方面，長電科技推出基於2.5D堆疊技術的HBM3e方案，單堆疊頻寬達960GB/s，互連密度提升20%。不過問題不在設計，而在製造能力不足，只能依賴外包生產。
這一延遲正直接衝擊下游。包括華為在內的中國AI晶片廠商，將面臨關鍵存儲供給不足，不得不依賴外部方案，或推遲下一代產品發佈。
設計能跟上，產能跟不上，才是真正的卡脖子。
長鑫存儲在HBM3的生產方面遇到瓶頸，其HBM3記憶體是其第四代HBM解決方案，最初計劃於2026年上半年發佈，但尚未接到任何量產訂單。（路透）
