圖為中芯國際上海總部大門。（取自中芯官網）
兩岸晶片實力差距有多少？紫光集團前高級副總裁、前日本爾必達社長坂本幸雄說，中國半導體產業的實力不管在研發、生產和產品良率方面落後台灣、韓國和美國一大截。
新加坡聯合早報引述日經新聞報導，坂本指出，中國佔世界半導體生產的比重為15%，但其中英特爾等外資企業佔60%，中企的比重僅40%，中國半導體產業當前的要務是研發，但肩負半導體產業發展者主要是出自台灣，多為成品良率改善等工序管理方面的人才，在從零開始創造價值的研發方面缺乏經驗。
坂本說，中國半導體實力與世界頂尖水平的差距很大，在DRAM領域處於中國頂尖水平的長鑫存儲，與三星電子相比落後4代左右；而在NAND閃存領域，中國據稱頂尖的長江存儲在去年8月啟動128層3D NAND的量產，雖已啟動192層的試產，但生產的數量過少，達不到討論競爭力的水平。
坂本提到，在運算用邏輯晶片領域，即使是頂尖的中芯國際，最好的產品也只是14納米，這已是七、八年前的技術，而台積電正在開發2納米的產品，中芯國際以工序管理的工程師為中心，或許難以推進新技術的開發，加上美國的制裁，更難以引進尖端的半導體生產設備，無法跨入價值巨大的處理器領域，經營資源完全被用在增加14納米以上的產能，如果缺乏在三、四年後追上台積電的雄心，差距會不斷擴大。
另據BusinessKorea報導，韓國進出口銀行旗下海外經濟研究院（OERI）預估，中國在DRAM和NAND閃存方面與韓國的技術落差分別達五年和兩年。
中國半導體業的產品良率也很低。OERI分析指出，長鑫存儲2019年開始量產第一代10納米DRAM，但兩年多過去，良率仍只有75%；第二代DRAM的良率更只有40%。
