韓國三星電子今天發表全球首款3納米晶片，比競爭對手台積電搶先一步。（歐新社）
韓國三星電子今天發表全球首款3納米晶片，比競爭對手台積電搶先一步。韓國官員承諾，政府將在構建半導體生態系統方面提供全方位支持。
韓聯社報導，三星電子（Samsung Electronics Co.）今天在京畿道華城廠區內的極紫外光（EUV）專用V1生產線，舉行了適用新一代閘極全環電晶體（Gate-all-around，GAA）技術的3納米晶片產品出廠紀念活動。
據報導，韓國產業通商資源部長李昌洋、三星電子DS本部長慶桂顯、以及員工和合作商有關人士共100多人出席了這場活動。
三星電子上月底才宣佈全球首款基於GAA技術的3納米工藝半導體產品投入量產。3納米工藝是半導體製作工程中最為尖端的製程技術，三星電子為超越台積電和英特爾（Intel）等競爭對手，率先推出該技術。
與此前使用鰭式場效應管（FinFET）的晶片相比，這項新產品採用晶片面積更小、電耗減少、性能提升的GAA技術，在技術層面意義重大。
三星電子自2000年代初期開始啟動GAA技術研究，2017年將其用於3納米製程，近期投入量產。三星電子晶圓代工事業部表示，將以創新技術邁向全球最高頂點。
李昌洋承諾，以日前政府公佈的半導體強國發展戰略為基礎，政府將在構建半導體生態系統方面提供全方位支持。
三星電子將首次把3納米GAA工藝用於高速運算（HPC），並計劃與主要合作商攜手將其擴至系統單晶片（SoC）等多種產品群。
三星電子計劃繼華城廠區之後，在平澤廠區也投入量產GAA技術的3納米晶片。
