近日，一份法律證詞揭露，中國內存晶片製造商長鑫存儲科技（CXMT）創立初期就鎖定了三星的DRAM核心製程技術。該中企被控竊取三星核心技術，引發韓國科技界的高度關注，要求加強泄漏國家核心技術刑罰的呼聲日益高漲。
近日在韓國首爾中央地方法院的庭審中，一名曾任職三星電子、後跳槽協助長鑫存儲創立的全姓（Jeon）工程師出庭作證指出，CXMT於2016年成立時，公司高層無意自主研發，而是鎖定竊取三星核心資料。
全某表示：「當時CXMT既無研究機構也無生產設施，且無意透過自主研發來開發技術。」他因轉職至CXMT後，非法取得並使用三星電子的18奈米DRAM製程技術，於去年4月一審被判處七年有期徒刑。
韓國檢方自2024年1月至去年12月調查此案，認為三星電子耗時五年、投入約1.6兆韓元研發的18奈米DRAM製程技術已外泄至CXMT。檢方指出，CXMT透過招募三星前高層與員工，對泄漏的製程資訊進行修改與驗證以適配當地設備，最終成功量產10奈米級DRAM晶片。
檢方因此以違反國家核心技術外泄相關法律為由，起訴包括全某在內共10名參與技術外泄的研發人員。
三星或向美國國際貿易委員會提出申訴
據韓國《中央日報》引述匿名律師說法，三星可依據美國《關稅法》第337條，向美國國際貿易委員會（ITC）提出申訴，尋求排除令（exclusion order），禁止涉及商業機密挪用或專利侵權的產品進口美國。
該律師指出，「即使CXMT沒有直接將晶片出口到美國，只要相關產品作為零組件嵌入其它產品後進入美國，仍然會被視為進口。」
三星也可在美國聯邦地方法院提起民事損害賠償訴訟；若產品出口至其它國家或地區，亦可在當地提起訴訟。
