中國內存晶片製造商長鑫存儲遭揭露竊取三星電子的 DRAM核心製程資料，並非由零開始的自主研發。圖:翻攝自 X@XinhuaItalia
根據韓國媒體《每日經濟》（Maeil Business Newspaper）近日報導，韓國首爾中央地方法院近日審理一起涉及半導體核心技術外泄的重大案件。一名曾在三星電子服務長達28年、後來參與中國內存晶片製造商長鑫存儲（CXMT）創立的全姓工程師，日前在法庭公開作證，披露長鑫存儲在成立初期即大規模引進三星專利技術並竊取其製程資料。
據 X平台@whyyoutouzhele引述《每日經濟》報導，全姓工程師在庭訊中證實，長鑫存儲於2016年成立初期，包含執行長（CEO）與首席技術官（CTO）在內的高層管理團隊，即已規劃取得三星電子的 DRAM核心製程資料，而非完全由零開始進行自主研發。全姓工程師表示，當時長鑫存儲「既沒有研究所，也沒有設備」，因此採取高薪挖角韓國半導體人才的方式推動營運。
長鑫存儲將竊取的技術轉化為自家設備參數，省去巨額研發成本並成功量產 DRAM，再將抄襲成果包裝成突破西方封鎖的「民族驕傲」。圖:翻攝自百度
報導進一步指出，隨後三星18奈米級 DRAM的「製程配方計劃」（PRP）遭泄露給長鑫存儲，內容涵蓋約600道關鍵製造工序、設備參數及具體製程條件。據悉，三星電子為開發該項技術，曾歷時約5年，並投入高達1.6兆韓元（約新台幣367.8億元）的研發經費。
韓國檢方指控，長鑫存儲取得相關關鍵資料後，將三星的製程資訊轉換為適用於中國當地工廠設備的生產參數，以省去大量研發與試錯時間，並成功實現 DRAM的商業化量產，更藉此將其包裝成突破西方封鎖的「民族驕傲」。目前，長鑫存儲已成長為全球第四大 DRAM製造商。韓國法院正就相關證詞與事證展開審理，此案預計將對國際半導體知識產權爭議產生深遠影響。
