阿波羅網鄭浩中報導/加拿大半導體研究機構TechInsights近日公佈對華為海思（HiSilicon）麒麟9030 Pro的製程逆向工程分析，確認這款晶片採用中芯國際（SMIC）N+3工藝。該工藝被定位為7納米級製程的進階版本，而非外界一度猜測的真正5納米節點。研究團隊從電晶體到金屬互連逐層量測，結論與2025年底至2026年中陸續公開的拆解結果一致：中芯在無法獲得極紫外光（EUV）設備的情況下，依靠深紫外光（DUV）多重圖形化繼續推進，密度有實質提升，但整體微縮程度仍明顯落後台積電（TSMC）與三星已量產的5納米製程。
華為於2025年11月25日發佈Mate80系列，旗艦機型Mate80 Pro Max搭載麒麟9030 Pro。當時中芯並未公佈製程路線圖，外界對晶片究竟是5納米、6納米還是N+2改良版眾說紛紜。2025年12月，TechInsights完成對Mate80 Pro Max的早期拆解，通過結構與關鍵尺寸實測，確認麒麟9030系列採用N+3。分析師拉傑什·克里希納穆爾蒂（Rajesh Krishnamurthy）當時指出，N+3是既有7納米級N+2的縮放延伸，密度有意義提升，但「在絕對值上仍明顯不及台積電與三星的商用5納米」。
2026年3月，TechInsights在平台上發佈更完整的製程分析報告，覆蓋前段製程（FEOL）、中段（MOL）與後段製程（BEOL）的關鍵尺寸、圖案化策略與光罩組合。2026年6月，另一家研究機構SemiAnalysis的STEEL實驗室公佈首份公開拆解，給出更具體的數字：N+3最小金屬間距（M0）約32.5納米，局部比英特爾（Intel）18A部分出貨產品的36納米更緊；電晶體密度約113.4百萬電晶體/平方毫米，略高於台積電成熟N6節點的約107.7百萬電晶體/平方毫米。這些數據表明，中芯通過自對準四重圖形化（SAQP）等DUV多重曝光，以及設計-技術協同優化（DTCO），把邏輯密度推到接近台積電N6的水平。
TechInsights與SemiAnalysis均強調，N+3的前段電晶體幾何（鰭片間距、接觸柵極間距等）並未出現與5納米相當的跨越，密度提升更多來自後段互連的激進縮放。多重圖形化增加曝光、蝕刻與套刻步驟，缺陷控制、良率與成本壓力顯著上升。缺乏EUV意味着無法像台積電、三星那樣用更短波長一次成形更精細圖形，只能用更多掩模層「硬擠」解像度。結果是：可以量產供貨旗艦手機，但能效、成熟度與綜合競爭力仍停留在數年前的7納米級區間，無法對標當前主流5納米乃至更先進節點。
在美國持續限制先進半導體設備出口的背景下，這項研究被視為檢視中國先進晶片自主化進度的重要樣本。TechInsights認為，實測結果既可作為晶圓代工技術比較依據，也有助於評估設備需求，以及中芯在純DUV路徑下推進先進制程的現實邊界。麒麟9030 Pro證明中芯仍能在封鎖下繼續微縮，但「看光光」之後的真相是：沒有EUV，通往真正5納米及以下的道路依然陡峭，成本與良率將成為下一階段更難迴避的硬傷。
