中共傳出突破技術門檻，打造出極紫外光（EUV）微影設備原型機，被視為中國版「曼哈頓計劃」，引發半導體業關注。不過，業界專家認為，這僅是追趕技術的第一步，是否能量產仍待觀察，對產業短期影響有限，無須過度緊張。ASML、台積電等領先者仍將持續拉開差距。
僅突破EUV光源，非完整機台
專家指出，目前中共的突破僅限於能產生EUV光源，而非完整的EUV微影設備。其技術路徑與ASML相同，透過激光擊發錫滴產生EUV波長光源，這是先進制程的關鍵，但只是複雜系統中的一環。
相較ASML歷經18年才實現量產，中共即便透過挖角、逆向工程與舉國資源打造原型機，也僅是「第一步」。短期內對產業影響有限，但仍值得持續關注。長期來看，若進展順利，研發時程可能需6至10年，才有機會進入生產階段。
屬追趕型發展，非顛覆式創新
專家強調，真正威脅來自顛覆式創新，中共目前仍處於沿既有技術路徑追趕的階段，並非「彎道超車」。在此情況下，歐美與台灣業者可持續創新，維持技術優勢。中共體制偏好將資源投入已見成效的追趕型技術，也反映其原創性不足。
專家並指出，AI將重塑半導體格局。儘管中共在EUV光源上取得進展，但距離可商用的完整EUV機台仍有明顯差距。未來6至10年，自由世界科技仍將快速前進，ASML、台積電等領先者會持續創新、保持領先。
中芯7納米仍靠DUV
外媒披露，中共在高度戒備實驗室測試EUV原型機，由曾任職ASML的工程師團隊仿製打造。由於ASML受限無法對中出售EUV設備，中共目前仍只能依賴DUV與多重曝光方式生產5或7納米晶片。
中共國EUV曼哈頓計劃，台美專家踢爆真相。（路透）
