台積電在2022年技術研討會上介紹了關於未來先進制程的信息，N3工藝將於2022年內量產，後續還有 N3E、N3P、N3X等，N2（2nm）工藝將於2025年量產。
台積電首先介紹了 N3的 FINFLEX，包括具有以下特性的3-2 FIN、2-2 FIN和2-1 FIN配置：
3-2 FIN–最快的時鐘頻率和最高的性能滿足最苛刻的計算需求
2-2 FIN– Efficient Performance，性能、功率效率和密度之間的良好平衡
2-1 FIN–超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度
台積電稱 FINFLEX擴展了3nm系列半導體技術的產品性能、功率效率和密度範圍，允許晶片設計人員使用相同的設計工具集為同一晶片上的每個關鍵功能塊選擇最佳選項。
而在 N2方面，台積電稱這是其第一個使用環繞柵極電晶體(GAAFET)的節點，而非現在的 FinFET（鰭式場效應電晶體）。新的製造工藝將提供全面的性能和功率優勢。在相同功耗下，N2比 N3速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不過，與 N3E相比，N2僅將晶片密度提高了1.1倍左右。
N2工藝帶來了兩項重要的創新：納米片電晶體（台積電稱之為 GAAFET）和 backside power rail。GAA納米片電晶體的通道在所有四個側面都被柵極包圍，從而減少了泄漏；此外，它們的通道可以加寬以增加驅動電流並提高性能，也可以縮小以最大限度地降低功耗和成本。為了給這些納米片電晶體提供足夠的功率，台積電的 N2使用 backside power rail，台積電認為這是在 back-end-of-line(BEOL)中對抗電阻的最佳解決方案之一。
IT之家了解到，台積電將 N2工藝定位於各種移動 SoC、高性能 CPU和 GPU。具體表現如何，還需要等到後續測試出爐才能得知。
