圖為2021年10月12日，眾議院議長佩洛西在美國國會大廈舉行的新聞發佈會上發言。
美國政府正尋求提高國內晶片生產之際，國會眾議院議長南希‧佩洛西（Nancy Pelosi）周五（1月21日）表示，眾議院將很快提出一項法案，以提高美國對抗中共的競爭力並增加聯邦在半導體方面的支出。
「眾議院將很快推出《競爭法案》。」佩洛西對民主黨同事說。
在此之前幾個小時，英特爾公司宣佈將對在俄亥俄州的兩個新的晶片製造廠投資超過200億美元，用於一個大型製造項目，該項目可能在未來幾年從聯邦資金中獲益。
汽車和計算機中使用的關鍵晶片短缺，加劇了供應鏈瓶頸，拜登政府因此正在推動說服國會批准資金，以幫助提高美國的晶片生產。
佩洛西在給民主黨同事的一封信中說：「眾議院這個立法將加強我們在晶片方面的投資，加強我們的供應鏈並改變我們的研究能力，還有許多其它關鍵條款。」
參議院去年通過了《美國創新與競爭法案》（U.S. Innovation and Competition Act），其中包括520億美元用於增加美國半導體生產，並授權1900億美元用於加強美國的技術和研究以與中共競爭。
共和黨眾議員米高‧麥考爾（Michael McCaul）周五發表推文說，「通過增加我們國內的半導體晶片產量，我們可以加強我們的國家安全並更好地與中國（中共）競爭；解決供應鏈危機；在美國創造製造業就業機會。」
佩洛西和參議院多數黨領袖查克‧舒默（Chuck Schumer）在2021年11月宣佈了一項協議，以解決參眾議院之間的分歧，目標是最終提出一個單一的立法方案。
彭博社報導，國會共和黨參議員約翰‧科寧（John Cornyn）是加強晶片行業條款的發起人。他表示，有勢頭將該法案作為更廣泛的政府支出計劃的一部分。立法者正在努力最快在下個月完成該計劃。
科寧說，「國會兩院和白宮對此都持廣泛的支持，我知道總統本人正在與佩洛西議長聯繫，以確保她同意將此納入該立法。」
