美國對中國半導體產業實施制裁,已影響中國發展先進制程的速度。外媒引述中國半導體設備商表示,目前主要銷售商品只能生產14納米至28納米的晶片,比競爭對手落後2至3個世代。
日媒在3月上海半導體設備博覽會期間,對中國半導體產業進行調查,有7家中國設備商接受訪問,多數廠商坦言,美國對中國半導體產業進行制裁,讓他們無法從國外採購材料,然而使用國內材料卻導致良率降低,造成發展先進制程的速度趨緩。
報道引述中微半導體設備公司的研究員表示,雖能供應5納米的機器,但主要出售的商品仍是14納米和28納米的機器;另一家蝕刻機廠商北京屹唐半導體則表示,目前以28納米及40納米的商品為主。
此外,報道引述業界表示,目前主力的微影機是90納米,且28納米和14納米在良率上仍有改進的空間。然而全球最大微影機廠商荷蘭艾斯摩爾已有望將3納米和2納米微影機商用化,反映競爭差距甚大。事實上, 大陸不能獲得核心技術,產品開發將受到嚴重的負面影響,故不得不透過自己的努力尋找解決方案。
中國企圖在2025年達到7成自製率目標,然而美國的制裁卻讓中國受到重擊。在美國制裁的威脅下,中國半導體產業要蓬勃發展,顯非易事。