最近，前三星電子常務崔某因涉嫌竊取三星電子半導體工廠設計資料，並意圖在中國建造「複製工廠」而被拘留起訴。圖為2023年4月7日，首爾瑞草洞三星總部大樓。(Jung Yeon-je/ AFP)
「韓國晶片界權威」「晶良率達人」「存儲器生產工程最高專家」……被冠於以上榮譽稱號的崔某曾經在韓國晶片界叱詫風雲。如今，他再一次成了韓國人的話題，只不過這次是站在法庭上，被韓國人稱作「賣國奴」。
6月12日，韓國檢方以涉嫌違反《產業技術保護法》和《不正當競爭防止法》（向國外泄露商業機密），對涉嫌竊取被指定為國家核心技術的三星電子半導體工廠設計資料，並意圖在中國建造「複製工廠」的前三星電子常務崔某（65歲）進行了拘留起訴。
因本案試圖在中國複製建造整間半導體工廠，犯罪規模和損失程度都相當巨大，從這方面來看，檢方表示「很難將本案與個別半導體技術泄露案進行比較」。
崔某是如何從晶片「達人」淪為中共的產業間諜呢？
曾為韓國半導體發展立下汗馬功勞
崔某在韓國半導體業界曾被稱為「存儲器生產工程的最高專家」。他最初在三星電子存儲器半導體部門工作了18年，曾擔任半導體業務常務，期間曾三次獲得技術大獎。
2001年他跳槽到海力士半導體（現在的SK海力士）。當時海力士因流動性危機正接受債權團管理，技術明顯落後於三星電子。
崔某通過改進裝備和重新編制工程，大大提高了海力士的技術能力，使海力士起死回生，且創下了「DRAM和NAND閃存實現世界最低製造成本」「晶片月產量達世界最高」的紀錄，崔某因此被譽為「半導體良率達人」。
憑藉這樣的業績，他晉升為海力士首席技術官（CTO），不過，2010年，他作為海力士副社長在挑戰海力士代表理事失敗後，選擇辭職離開。
複製工廠未建成但韓國晶片工廠技術已外泄
2015年，崔某在新加坡成立了半導體晶片企業，2018年與台灣電子產品生產銷售企業簽署了8萬億韓元（約63億美元）的投資協議。
據韓國檢方調查結果，2018年8月到2019年，崔某涉嫌使用三星電子半導體工廠BED（Basic Engineering Data）、工序佈局圖和半導體工廠設計圖等商業機密資料，以及從台灣企業獲得的投資，企圖在中國西安市建設與三星電子相同的晶片工廠。其選址距離三星電子的西安工廠只有1.5公里。
參與犯罪的還有前三星電子和合作企業員工6人，他們被指涉嫌根據崔某指示非法獲取三星電子半導體工廠設計資料並擅自使用。
半導體晶片工廠BED是指，防止在半導體製造空間（潔淨室）中存在雜質而創造最佳製造環境的核心技術。他們所盜取的技術是用於手機製造等30納米以下DRAM和NAND閃存的製造工程技術。韓國檢方表示，「這是三星電子通過三十多年的研究開發獲得的資料，價值3000億至數萬億韓元（約2億至數十億美元），不僅是一個企業的商業秘密，更是國家級的核心技術。」
不過，因台灣企業停止投資，西安複製工廠的建設中斷。
與中共展開半導體合作
2019年，崔某在中國成立半導體企業真芯（北京）半導體。
2020年，真芯（北京）半導體與成都市政府合作，成立了半導體合資公司——成都高真科技。崔某擔任該合資公司的代表。
據韓媒《中央日報》報道，崔某獲得成都市政府4600億韓元（約3.6億美元）投資，去年在成都建成研發（R&D）大樓，今年開始生產採用從三星電子盜取的技術而製造的半導體樣品。
另據韓國檢方調查，崔某在新加坡和中國成立晶片相關公司，以及在中國設立半導體晶片工廠的過程中，以高薪聘請了200名出身於三星電子和SK海力士的韓國半導體行業核心人才。
隨着美國加大力度對中共半導體行業進行遏制，中共獵取韓國高技術人才的現象越來越猖獗。
據韓媒《首爾經濟》報道，中共半導體業不僅以高額年薪作誘餌，甚至還在韓國建立研發中心，允許半導體高級人才在韓國國內工作，以此促使他們離職。
韓國警察廳最近4個月為揭露產業技術泄露犯罪進行了「危害經濟安全犯罪特別打擊行動」。6月11日公佈的中期調查結果顯示，有8件是海外技術泄露事件，與中國企業有關的佔一半左右。
據韓國國家情報院統計，2018至2022年被揭露的產業技術海外泄露損失規模估算額約為25萬億韓元（約196億美元）。
日本電子工程師李濟心6月15日表示，中共偷竊技術的第一目標一定是科技最強的美國，當美國開始意識到技術被嚴重竊取並開始嚴格審查時，偷竊的主要目標開始伸向歐洲和日本，當歐洲和日本開始防範時，偷竊技術的對象就變成了在中國還有大量投資，還沒有嚴格防範的韓國了。
他說，一直以來，韓國的半導體企業在中國有大量投資且出口依賴中國，所以「對中國技術侵權行為睜一隻眼閉一隻眼，這恰恰令中國（中共）更加肆無忌憚。」
他提醒，韓國「必須像美國和日本一樣，嚴正警告、嚴格審查，才能杜絕中國（中共）偷竊技術的犯罪行為。」
