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美光核心技術團隊將撤離中國 還要「發」綠卡

1月25日,網媒集微網消息,美光科技正在解散150人左右規模的上海研發中心,並挑選了40多位核心研發人員提供移民技術美國的資格。

1月25日,網媒集微網消息,美光科技正在解散150人左右規模的上海研發中心,並挑選了40多位核心研發人員提供移民技術美國的資格。

美光此次並非解散整個上海研發中心,而是僅僅解散了DRAM設計部門,該部門總人數超過100人。

某半導體行業高管評論稱,美光解散DRAM設計團隊很有可能是出於防止技術外泄的考慮,雖然目前國內的DRAM企業數量相對較少,但未來幾年內或有可能湧現出新的幾家DRAM製造商,而且現有的DRAM企業也正求賢若渴,美光此舉或是想將產品的設計和研發收攏至中國大陸以外地區。

DRAM內存進入黃金時代

據美國Business Journal援引消息人士報道,全球最大的半導體公司之一的美光科技正考慮在美國德州中部投資,推進一項1500億美元(約合人民幣9539.25億元,近萬億)的計劃,擴大晶片製造能力。

據《華爾街日報》報道,美光去年10月已宣佈未來十年投資超過1500億美元,解決全球晶片短缺問題,並促進美國國內半導體生產。美光行政總裁Sanjay Mehrotra表示,公司將擴大現有的晶片製造設施,利用這筆資金建造新工廠。

國金證券預測:

1、未來10年全球 DRAM廠的資本開支將有13%的複合增長率;

2、因為半導體設備越來越貴,每10億美元 DRAM廠的資本開支所能換來的 DRAM晶圓產能將逐年減少8-9%;

3、未來10年全球 DRAM晶圓廠年產能將以6-7%的複合增長率增加;

4、DDR5 DRAM逐季,逐年比重提升,每顆 DDR5晶片將比 DDR4 DRAM的製造多消耗30-50%的產能,意思就是未來10年,全球DRAM晶圓廠需要投入比過去10年更多的資本開支,才能維持6-7%的產能複合增長率;

5、未來每年每片晶圓仍然像過去一樣有10%的位元產能增長,但因為加了 EUV光刻機,未來10年資本開支的複合增長率將高於過去10年的複合增長率近2個點;

6、未來10年全球 DRAM行業應該是長期處於供給不足的狀態,估計短期供過於求的下行周期將有2-3次,少於過去十年於2010-2020年的4次。

圖:邏輯及內存晶片製造所需 EUV光刻機數量測算

DRAM大陸競爭格局

目前中國主要的 DRAM製造廠商為福建晉華、合肥長鑫、紫光南京,其中紫光南京的量產環節仍主要在台灣力晶進行,福建晉華由於受到美國實體清單制裁,關鍵技術受到限制,致使 DRAM研發停滯,因此合肥長鑫為短期內中國 DRAM產業國產替代唯一的希望。

責任編輯: 李韻  來源:半導體圈 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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