阿波羅網王篤若報導/對付北京這行為，"這國"祭出最高30年監禁
韓國這次真的急了——半導體這塊自留地，說什麼也不能再讓中共隨便挖走抄襲了。
從周日（13日）起，韓國正式實施新修法案，為外國竊取"國家機密"者最高可判處30年監禁。這是韓國間諜法70多年來首次擴大適用範圍，直接堵上一個長期存在的法律漏洞——過去只有替朝鮮等"敵對"國家幹活才算間諜罪，如今範圍擴大到經濟、科學、技術等所有可能威脅國家安全的非公開信息。
晶片行業占出口四成，誰動它誰挨打
韓國法務部長官鄭成湖表示，這項法案為防止先進技術泄露提供了"法律安全網"。半導體產業占韓國出口總額40%以上，是AI浪潮下拉動經濟增長的核心引擎，上個月司法部、科學部、警察部門等多部門聯合召開會議，工業部高級官員直言："我們將調動國家全部力量，從政策制定到調查、起訴和判刑，嚴厲打擊技術泄露行為。"
去年33起技術外泄案，一半涉及中國
韓國國家警察廳去年查獲創紀錄的33起技術泄漏海外案件，超過一半涉及紅色中國，半導體產業更是被攻擊最多的領域。更麻煩的是，86%的技術外泄案件涉及中小企業，這些規模較小的零件供應商掌握敏感信息，卻沒有大廠那樣雄厚的資源去防守。去年，警方就在金浦機場逮捕一名SK海力士供應商前員工，他正準備飛往中國，被控試圖帶走高頻寬記憶體晶片封裝技術。
成均館大學半導體專家權錫俊直言，間諜活動最猖獗的手法就是招募退休高管和資深工程師，開出兩到三倍薪水，這些招募往往透過新加坡、台灣或香港的空殼公司或諮詢機構進行。
長鑫存儲案：600道製程，5年心血，全被"手抄"帶走
而這項新法背後最刺眼的案例，正是長鑫存儲竊取三星DRAM技術案。曾任職三星電子、後跳槽協助創辦長鑫存儲的全姓工程師，日前在首爾中央地方法院出庭作證坦承，長鑫存儲高層2016年創立起便無意自研，而是直接竊取三星核心製程資料——涉案技術為三星18奈米級DRAM製程，涵蓋生產過程600道製程步驟及關鍵設備條件，宛如半導體的"製造配方"。
據韓國檢方調查，涉案研究人員離職前將核心資料手抄在12頁筆記中帶走，長鑫取得後依自身生產環境修改驗證，2019年成功量產DRAM。涉案三星前員工今年4月一審已被判7年徒刑。
韓媒《Edaily》引述首爾大學教授孫承宇分析，三星為此技術投入約1.6兆韓元、研發耗時約5年，但真正的損失無法只用研發經費計算——"真正被帶走的，是無法用金錢衡量的試錯時間。"他質疑，面對如此龐大的技術外泄損害，7年徒刑是否足以形成嚇阻效果，主張未來量刑應納入技術經濟價值、競爭對手節省的研發成本、受害企業市佔率損失等因素綜合考量，並警告一旦技術真正進入海外生產線，即使日後重判也難挽回損失。
中共抄得有多凶？數字說話
中國DRAM生產商長鑫存儲今年上半年營收年增近9倍，達224億美元；據TrendForce數據，長鑫存儲全球DRAM市佔從今年第一季7.6%攀升至第二季9.5%，雖仍遠低於三星的39.4%和SK海力士的24.9%，但增速驚人。
從法律漏洞到30年重刑，從"手抄12頁筆記"到高薪挖角，韓國這次是鐵了心要把半導體這道護城河築牢——畢竟當對手能靠一份被偷走的"製造配方"就少走5年彎路，再不出重拳，恐怕真要被追上了。
