由於內存短缺、價格飆升，市場傳出中國DRAM龍頭長鑫存儲（CXMT）正大舉擴廠搶商機。不過韓媒披露，長鑫存儲去年第四季產能已達高峰，目前面臨瓶頸，主因美國收緊出口管制，限制其擴產。此外，良率仍是關鍵難題，實際出貨量可能不及預期。
韓媒《Chosun Biz》12日報道，長鑫存儲產能去年第四季觸頂。儘管中國積極推動半導體設備國產化，但在美國先進設備出口限制下，新增產能受阻。市場調查機構Omdia數據顯示，長鑫存儲月均晶圓產量約24萬片，已達最高水平。業內預計，持續擴產至今的長鑫存儲，今年產量將遇瓶頸。
目前長鑫存儲DRAM產能約為SK海力士的一半、三星電子的三分之一以上。去年三星DRAM年產能約760萬片晶圓，SK海力士597萬片，美光360萬片。長鑫存儲去年晶圓產量翻倍、市佔提升，但今年成長趨緩。
LS Securities研究員車勇浩指出，美國出口管制收緊限制擴產，北京正加碼扶植設備國產化。若明年國產設備取得突破，擴建計劃或於2027年恢復，包括上海新廠。
不過良率仍拖累產出。因缺陷問題，產能與實際產量存在落差。業內人士指出，DRAM設計與製程複雜，長鑫存儲要追趕三星與SK海力士的先進制程仍需時間。隨着製程邁向10納米以下，對EUV等設備需求大增，但在美國限制下取得困難。
受到美國出口限制衝擊，中國長鑫存儲產能擴張受限。示意圖。（路透）
