投資銀行高盛認為，中國光刻機公司至少落後美國同行20年。光刻技術是半導體製造的幾個環節之一，也是阻礙中國製造高端晶片的唯一瓶頸。最先進的光刻機由荷蘭公司ASML製造，由於其依賴美國原產的零部件，美國政府有權限制其對華銷售。
由於擔憂與軍方的關聯，中國科技巨頭華為因美國政府制裁，被禁止從台積電採購晶片。因此，華為不得不依賴中芯國際滿足其晶片需求，而美國又對中芯國際施加制裁，限制其採購極紫外(EUV)晶片製造光刻機，這意味着中芯國際只能用更舊的工藝以更高成本的方式生產7納米晶片。
然而，這些晶片很可能是使用 ASML較老的 DUV機器製造的，因為中國缺乏製造先進光刻掃描儀的能力，因為它們需要的零部件在全球範圍內生產，主要在美國和歐洲。投資銀行高盛的一份最新報告指出，中國國內光刻設備行業可能比 ASML落後二十年。
圖片：Ray Wang/X
光刻是晶片製造工藝中的幾個步驟之一。它涉及將晶片設計從光掩模轉移到矽晶圓上。高端設備，例如 ASML的 EUV和高數值孔徑 EUV掃描儀，能夠在矽晶圓上轉移更小的電路圖案，從而提高晶片性能。圖案轉移後，會進行蝕刻，形成最終佈局，並在整個製造過程中沉積其他材料並清潔晶圓。
因此，光刻技術對於在晶圓上複製精細電路至關重要，這意味着光刻設備是晶片製造過程中的瓶頸。投資銀行高盛在最近的一份報告中認為，中國國內晶片製造行業至少還需要20年才能達到與ASML當前一代晶片製造技術相當的水平。
目前，台積電等領先的晶片製造商正在量產3納米晶片，並正在加緊生產2納米產品。高盛的報告強調：「ASML花了20年時間，投入了400億美元的研發和資本支出，才從65納米光刻技術過渡到3納米以下。」鑑於中國本土的光刻設備製造商目前處於65納米工藝階段，該銀行的數據顯示，這些公司似乎不太可能在短期內趕上西方。
