據悉，三星電子、海力士半導體（現SK海力士）前高管兼晶片專家崔珍奭（66歲）因涉嫌向中國泄露三星電子核心晶片技術——20納米級DRAM工藝技術資料被拘留。2023年6月，崔某曾因涉嫌竊取三星電子晶片工廠設計圖，並意圖開設20納米級DRAM晶片的「三星電子複製工廠」被拘留後獲釋。
5日，首爾中央地方法院專門負責拘留令的部長法官金美京針對涉嫌違反《關於防止不正當競爭與保護商業秘密的法律》的崔某和前三星電子首席研究員吳某舉行了拘留前的嫌疑人審問（拘留令實質審查），判定「有潛逃的可能」並簽發了拘留令。
兩名嫌疑人涉嫌將包含20納米級晶片生產所需的溫度、壓力等600多道工藝核心信息的資料泄露給中國成都高真科技。
據首爾警察廳產業技術安保調查隊掌握的情況，兩名嫌疑人涉嫌將三星電子關於20納米級DRAM晶片的獨家技術打包泄露。
創立成都高真的崔某曾擔任三星電子常務、海力士副社長。2023年6月，他曾因涉嫌竊取三星電子晶片工廠設計圖，並意圖開設20納米級DRAM晶片的「三星電子複製工廠」被拘留，並於11月被保釋出獄。
1月15日，警方曾申請簽發吳某的拘留令，但法院以「有必要保障其防禦權」為由予以駁回。
隨後警方進行了補充調查，2日通過首爾中央地方檢察廳信息技術犯罪調查部（部長安東建）再次申請簽發吳某的拘留令，一併申請的還有崔某的拘留令。據悉，考慮到犯罪的重大性和損失規模，檢方親自出席了拘留令實質審查，說明了犯罪嫌疑。
三星電子的平澤晶片工廠。
