中芯國際業績創新高。中新社
再次着眼「中國芯」：美國正醞釀新限制措施
據路透社援引知情人士稱，美國考慮收緊對中國內存晶片製造商的出口，禁止對行業領頭羊「長江存儲」出口用於製造先進NAND閃存晶片的設備。若這一舉措得到批准，將是美國針對中國半導體行業的最新打壓。
四位熟悉此事的消息人士對路透社表示，美國正在考慮限制向長江存儲技術有限公司（YMTC）等中國內存晶片製造商出口美國的製造設備。
這些未具名的消息人士表示，如果拜登政府採取這一行動，也可能損害韓國內存晶片巨頭三星電子和SK海力士。三星在中國有兩家大型工廠；SK海力士正在收購英特爾公司在中國的NAND閃存晶片製造業務。
美國眾議院7月28日通過了一項法案，其中包括520億美元對美國國內半導體製造補貼和激勵措施。
據出口管制專家稱，如果這一最新限制措施得到批准，這將標誌着美國首次針對中國沒有專門軍事用途的存儲晶片進行出口管制。此舉還將尋求保護美國僅有的存儲晶片生產商——威騰電子（也稱「西部數據」）和美光科技，這兩家公司共佔NAND晶片市場約四分之一的份額。
NAND晶片用於在智能手機、個人電腦等設備以及亞馬遜、Facebook和谷歌等公司的數據中心中存儲數據。一部手機、筆記本電腦能容納多少千兆的數據，取決於它包括多少枚NAND晶片及其先進程度。
尚未起草相關法規
兩位消息人士對路透社表示，這個正在考慮中的行動，將禁止向中國出口用於製造超過128層的NAND晶片的設備。位於矽谷的泛林（LAM）研究公司和應用材料公司是此類設備的主要供應商。
消息人士都對路透社表示，拜登政府對此事的考慮目前尚處於早期階段，還沒有起草相關議案
所有消息人士都表示，美國政府對此事的考慮目前處於早期階段，還沒有起草相關議案。
被問及此事時，負責監督出口管制的美國商務部發言人沒有討論可能提出的限制，但是稱「拜登政府專注於削弱（中國）在製造先進半導體方面的努力，以應對美國重大國家安全風險」。
快速成長的「長江存儲」
總部位於武漢的長江存儲科技有限責任公司（YMTC，簡稱「長江存儲」）是製造NAND閃存晶片的一支新興力量。
公開資料顯示，長江存儲2016年由紫光國芯與武漢新芯公司合併而成。出資方包括紫光集團和中國國家資本，註冊資本高達人民幣386億元。
2020年4月13日，長江存儲宣佈成功「跳級」推出128層QLC3D NAND閃存，單顆容量達1.33Tb。2018年4月26日，中共領導人習近平到長江存儲視察，並發表談話，表示「要實現兩個一百年奮鬥目標，一些重大核心技術必須靠自己攻堅克難」。
白宮在2021年6月的一份報告中寫道，美光科技和威騰電子正面臨長江存儲的低價壓力。該報告說，長江存儲接受了中共當局約240億美元的補貼，其擴張和低價產品對美光和威騰構成「直接威脅」。
法國半導體諮詢機構Yole Intelligence的專家庫恩（Walt Coon）稱，長江存儲目前約佔全球NAND閃存晶片產量5%，比一年前幾乎翻了一番。相比之下，威騰電子約佔13%，美光佔11%。
據彭博社報道，長江存儲在提供閃存晶片方面正在與蘋果公司談判。
若真推出「將重創長江存儲」
半導體行業專家庫恩表示，如果拜登政府真推出該限制措施，將重創長江存儲，「如果他們被迫停留在128層（3D NAND），我不知道他們怎樣才能繼續發展」。
諮詢機構Yole Intelligence的數據也顯示，中國的NAND晶片產量已經從2019年的不足14%，增長到今年全球總量的23%以上，而同期美國的產量從2.3%下降到1.6%。對於美國公司來說，幾乎所有的晶片生產都在海外完成。
目前尚不清楚這個可能的限制措施會對中國其他企業產生什麼影響。據路透社報道，英特爾保留了一份合同，管理其正出售給SK海力士的中國工廠的運營。根據英特爾的一份新聞稿，該工廠已在中國生產144層的內存晶片。
華盛頓矛頭對準中國晶片產業
在川普執政期間，中美兩國在科技領域的緊張關係加深，此後這種緊張一直持續。
彭博社在7月初援引知情人士報道，指華盛頓已向荷蘭施壓，要求其禁止半導體製造設備大廠阿斯麥（ASML）向中國出售生產晶片所需的關鍵設備。路透社於7月8日報道，拜登政府考慮限制向中國運送製造先進邏輯晶片的設備，以尋求限制中芯國際的發展。
美國國會上周通過了晶片法案，巨資支持美國國內晶片生產，以抗衡來自中國的競爭。
中國晶圓代工廠中芯成功量產7奈米晶片，傳出美國擴大對中國半導體設備出口管制因應。產業專家認為，除了邏輯晶片，也會影響中國的DRAM和3D NAND Flash，堪稱「一箭三雕」，這將使中國半導體中長期發展面臨重重阻礙。
美國先前限縮中國取得半導體先進制程設備，但即使缺少荷蘭艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）設備，中芯仍傳出在先進制程技術發展上獲重大突破，已量產出貨7奈米晶片1年多時間，震撼各界。
光刻機是半導體生產的重要設備，EUV光刻機是推進先進制程的關鍵；深紫外光（DUV）則用於成熟製程。
台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真研判，中芯極有可能利用深紫外光（DUV）設備，加上多層光罩，達到7奈米生產。
劉佩真說，中芯目前7奈米量產產能規模可能還小，良率比較不穩定，且成本非常高昂，7奈米性價比相對不高，並可能受到來自美方管制措施，影響客戶下單意願，實際效應有限。
媒體報道，美國擴大對中國半導體設備的管制，兩大半導體設備供應商科林研發（Lam Research）、科磊（KLA）透露，最近收到華府通知，未取得許可證的美企，禁止出售14奈米以下半導體設備給中芯等中企，就連台積電在中國的晶圓代工廠也可能被列入禁售。台積電對此並沒有評論。
工研院產科國際所研究總監楊瑞臨表示，美國先前已禁止10奈米以下的先進半導體設備出口中國，這次進一步擴大管制範疇至14奈米以下製程，且包括台積電等外商在中國設立的半導體廠也都被納入管制。
楊瑞臨指出，微影、蝕刻及量測檢測是半導體最重要的3道製程，其中，微影的EUV設備市場由荷蘭艾司摩爾（ASML）獨佔，科林研發為蝕刻設備龍頭，市佔率逾5成，科磊為檢測設備龍頭，市佔率也超過5成。
楊瑞臨說，觀察美國對中國採取的新管制措施，美國應經過深入研究，對中國半導體的管制相當到位，除了邏輯晶片外，對於中國的動態隨機存取記憶體（DRAM）和3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）也都會有影響，是「一箭三雕」的做法，中國半導體產業中長期發展恐面臨重重阻礙。
他表示，韓國記憶體廠三星（Samsung）和SK海力士（Hynix）都在中國設廠，可能因而受到波及，未來中國廠擴產可能遭受影響。
至於台積電方面，楊瑞臨說，台積電南京廠未來擴產是否會受到影響有待觀察，不過，台積電生產重鎮在台灣，台灣廠在生產效率與成本等方面最具競爭力，預期台積電所受影響應有限。
國泰台灣5G+ ETF基金經理人蘇鼎宇也認為，對台積電影響有限，但會增加中芯發展的難度，半導體設備製造商也可能受到影響。至於美國正視中芯可能是複製台積電技術這件事，對台積電發展可以正向看待，短期在禁售趨嚴下成熟製程業務可能增加因應調整的成本，長線對於台積電高階製程競爭力則更有保障。
