據韓國媒體報道,三星電子今日正式投產GAA架構的3nm工藝晶片製造,為趕超台積電奠定基礎。報道稱,GAA架構優於當前廣泛使用的FinFET架構。
台積電此前宣佈在今年下半年量產3nm工藝。這意味着,三星首次在先進工藝層面反超台積電。此外,英特爾預計在明年下半年量產3nm工藝晶片。
這一工廠投產也打破了業界的大量猜疑。此前台灣業界就認為,三星可能因為3nm良率過低,而不得不延後量產。
客觀來說,這一猜疑具有歷史基礎。三星一直努力追趕台積電的先進工藝,但步伐太大,良率時不時成為隱患。在晶圓代工市場,三星也大幅落後於台積電的份額。
對於三星的突破性進展,台積電錶示不予評論。據稱,台積電基於FinFET架構的3nm工藝將進入量產階段,並搭配FINLEX架構。此外,2nm工藝預計在2025年量產。
數據顯示,三星晶片製造60%產能供給集團旗下公司。預計本次3nm產能也不例外,將優先三星集團使用。