美國21日公佈了放寬後的「護欄（安全裝置）」條款的詳細規定，對於中國的投資，韓國半導體獲得10年寬限期。韓國半導體企業表示「至少避免了最糟糕的情況」，隨着美國開始重組本國主導的半導體供應鏈，如果要在人工費、建設費等都很昂貴的美國進行投資，必須領取半導體補貼，如果領取該項補貼，10年裏會被禁止在作為核心市場的中國境內投資工廠，因此一直以來韓國企業都戰戰兢兢。
據悉，截至目前，三星電子和SK海力士分別在中國投資了33萬億韓元（人民幣約1742.4億元）和35萬億韓元（人民幣約1848億元）以上。尤其是只能在「技術的美國」和「市場的中國」之間看眼色行事，有評價稱這次發佈的詳細規定，一定程度上擴大了韓國半導體企業的運作幅度。半導體業界相關人士說：「通過兩國政府的協商，不確定性正在逐漸消除，這是重要成果。」
比預計更為寬鬆的限制規定
中國是韓國半導體企業的核心生產基地。目前，三星電子40%的NAND閃存在中國生產，SK海力士則有40%的DRAM和20%的NAND是在中國生產的。三星電子在中國西安生產128層NAND閃存，SK海力士在中國無錫和大連分別生產10納米中後期的DRAM、96層和144層NAND閃存。由於擔心技術泄露等原因，在中國生產的是技術水平低於業界最尖端的230層NAND閃存和10納米初期DRAM的產品。
根據美國政府的「護欄」規定，韓國企業在中國生產的產品雖然不是最尖端的，但大部分都高於舊（legacy）工藝，因此主要適用「10年內擴張5%」的規定。這意味着以晶片為標準，三星電子和SK海力士今後10年裏可以在5%以下的範圍里對中國工廠的生產能力進行擴大。如果超過5%，投資額將被限制在10萬美元以內。還有分析認為，考慮到隨着尖端微細工藝的發展，每塊晶片可獲得的半導體數量大幅增加，生產效率得到急劇提升，「5%的限制」其實意義不大。業界相關人士說：「如果實現技術升級，每塊晶片的產量就會增加，因此實際上半導體企業會擁有更大的餘地。就結論而言，估計對韓國企業的影響不會太大。」
美國政府並未單獨規定限制NAND閃存層數的條款。NAND閃存晶片就像公寓，數據存儲空間垂直堆疊得越高，性能就越好。據悉，圍繞去年下達了1年延期措施的中國境內三星電子和SK海力士工廠半導體設備出口管制的問題，美國政府還會和韓國政府協商追加延長期限。
「鬆了口氣，需要進一步觀察今後的情況」
受存儲晶片寒流的影響，僅第一季度就產生了3萬億-4萬億韓元（人民幣約158億-211億元）的虧損，韓國半導體業界有種度過了難關的反應。因為如果無法在中國境內進行設備投資，就不得不承擔在今後數年內追加建設大規模生產設施以替代中國產量的負擔。尤其是SK海力士因為從英特爾收購的中國大連NAND閃存工廠而陷入了更大的危機。去年第一筆貸款支付了70億美元（約9.1萬億韓元），2025年則需要支付20億美元的餘款，但如果工廠不能及時升級，損失將像滾雪球一樣越來越大。半導體業界相關人士表示：「雖然護欄條款中出現了對韓國企業友好的內容，但投資美國半導體工廠的人工費、建設費等依然高於在韓國投資，而且存在退還超額利潤、公開經營機密等條款，因此需要持續觀察兩國之間的協商。」