阿波羅網王篤若報導/美國科技政策與出口管制專家麥奎爾（Chris McGuire）指出，外界盛傳中共正全力複製 ASML的 EUV（極紫外光）曝光機，但即便中共在實驗室層級取得部分進展，與可長時間穩定運作、足以量產的商業化 EUV設備之間，仍存在數個世代的技術與良率鴻溝。換言之，「做得出來」不等於「能量產、能便宜、能可靠」。
麥奎爾曾任拜登政府白宮國安會中國科技政策官員，現為外交關係協會資深研究員。他指出，外界把中共的 EUV研發形容為「曼哈頓計劃」式突破，但這顯然高估短期影響力。EUV並非單一設備，而是高能光源、多層反射鏡、真空、極限同步控制等系統工程的集大成，中共即便能攻下局部零件，也離產業化水平仍差數代。
他強調，出口管制的作用常被誤解，其目的不是「徹底封死」中共，而是延長研發時程、提高成本、降低製程穩定性。對投資界而言，更真實的風險是：中共的半導體投入會繼續燒錢，卻難形成可持續的產業回報。
在製程路線方面，中共確實嘗試以DUV多重曝光、製程堆疊、chiplet模組化等方式逼近先進制程，但代價是功耗暴漲、成本失控、良率偏低，因此相關產品只能在政策驅動或封閉內需市場消化，難以形成全球競爭力。
對 AI與大型資料中心而言，先進制程的價值來自「能效比」，不是單純算力。製程落後一到兩代，就意味着運營成本結構全面劣勢。
麥奎爾總結，中共的追趕是一場至少十年以上的耐力賽，而非短期突襲；ASML、台積電掌握的 EUV與先進制程整合能力，短期內仍無法被撼動。真正需要警惕的是：中共高額補貼可能持續扭曲成熟製程與特定應用市場。
