近日，中國工信部發佈了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」，其中包括一款全新國產DUV（深紫外）曝光機，解像度為≤65nm，套刻精度為≤8nm。此消息讓一些中國民眾興奮不已，誤以為中國已經突破美國封鎖，能生產8奈米晶片。然而，這一樂觀解讀很快遭到打臉。
中國媒體迅速澄清，這款深紫外曝光機實際上只能用於生產65奈米或更大製程的晶片。部分民眾將「套刻精度≤8nm」誤解為晶片製造的製程節點，認為這意味着8奈米曝光機，但這是一種誤解。實際上，套刻精度與光刻製程的節點並不相同。
根據中媒芯智訊的報道，工信部公佈的資料顯示，此次列出的深紫外曝光機有兩種類型：氟化氪（KrF）曝光機和氟化氬（ArF）曝光機。前者使用248nm光源，解像度為≤110nm，套刻精度為≤25nm，而後者則是193nm光源的乾式DUV曝光機。儘管相比此前的國產曝光機有所提升，但這款DUV曝光機仍未達到能夠生產28奈米晶片的水平，距離8奈米、7奈米晶片的生產更是遙遠。
有技術專家指出，65nm的解像度意味着這款深紫外曝光機的單次曝光製程節點大致停留在「65奈米」左右。將套刻精度8nm等同於光刻製程8奈米晶片的解讀完全錯誤。中國一位自媒體人對此也發表評論，稱認為這款曝光機能生產8奈米晶片的說法是「天方夜譚」。他說，中國的DUV曝光技術目前仍落後於荷蘭半導體巨頭ASML約18年，要實現技術突破並進軍浸沒式深紫外曝光機領域，還面臨諸多挑戰，切不可過於樂觀。
此外，科技媒體《WccfTech》分析，中共這款國產深紫外曝光機至少落後美國15年。ASML的客戶早在2009年便已能夠使用其氟化氬曝光機生產先進晶片，顯示出中共在這一領域仍有較長的追趕之路。
中國工信部公佈，全新中國產DUV曝光機。（圖取自中國社交平台）
