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逼近極限!台積電研發1nm 一台光刻機就30億

隨着半導體工藝深入到5nm以下,製造難度與成本與日俱增,摩爾定律的物理極限大約在1nm左右,再往下就要面臨嚴重的量子隧穿難題,導致電晶體失效。

當然,各大廠商的先進工藝在實際尺寸上都是有水分的,所以紙面意義上的1nm工藝還是會有的,台積電去年就組建團隊研發1.4nm工藝,日前CEO劉德音又表示已經在探索比1.4nm更先進的工藝了。

1.4nm再往下就是1nm工藝了,這也是半導體行業都在追求的工藝,去年IMEC歐洲微電子中心公佈的路線圖顯示,2nm工藝之後是14A,也就是1.4nm工藝,預計2026年問世,

再往後就是A10工藝,也就是1nm,2028年問世。

當然,實際能量產的時間可能回比2028年晚一些,畢竟新技術不跳票是不可能的。

與此同時,在2nm節點之後的新工藝研發生產中,EUV光刻機也要大升級一次,ASML預計會在2026年推出High NA技術的下一代EUV光刻機EXE:5000系列,將NA指標從當前的0.33提升到0.55,進一步提升光刻解像度。

但是下一代EUV光刻機的代價也很高,售價會從目前1.5億美元提升到4億美元以上,最終價格可能還要漲,30億一台設備很考驗廠商的成本控制。

責任編輯: 夏雨荷  來源:快科技 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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