據日本共同社日前報道，日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將於今年12月量產下一代功率半導體，以碳化矽（SiC）為原材料。
據悉，羅姆花費約20年推進研發碳化矽半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉的用電效率，若裝在純電動汽車上，續航里程可提升一成，電池體積也可更小。
據悉，羅姆將在福岡縣筑後市工廠今年開設的碳化矽功率半導體專用廠房實施量產，還計劃為增產投資最多2200億日元，並將2025年度的碳化矽銷售額上調至1100億日元。
公開資料顯示，碳化矽具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破矽基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。
碳化矽是主要由矽元素和碳元素組合而成的一種化合物半導體材料。主要用於功率+射頻器件，適用於600V以上的高壓場景，包括光伏、新能源汽車、充電樁、風電、軌道交通等等電力電子領域。
與前兩代半導體材料相比最大的優勢是較寬的禁帶寬度，保證了其可擊穿更高的電場強度，適合製備耐高壓、高頻的功率器件，是電動汽車、5G基站、衛星等新興領域的理想材料。
以新能源汽車為例，電動汽車系統涉及功率半導體應用的組件有電機驅動系統、車載充電系統（On-board charger，OBC）、車載 DC/DC及非車載充電樁。其中，電動車逆變器市場碳化矽功率器件應用最多，碳化矽模塊的使用使得整車的能耗更低、尺寸更小、行駛里程更長。
目前，國內外車企均積極佈局碳化矽器件應用，以優化電動汽車性能，特斯拉、比亞迪、豐田等車企均開始採用碳化矽器件。
隨着碳化矽功率器件的生產成本降低，碳化矽在充電樁領域的應用也將逐步深入。
