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三星全球首秀3nm!從此告別翻車

這幾年,台積電在半導體工藝上一路策馬揚鞭,春風得意,能夠追趕的也只有三星了,但是後者的工藝品質一直飽受質疑。

IEEE ISSCC國際固態電路大會上,三星(確切地說是Samsung Foundry)又首次展示了採用3nm工藝製造的晶片,是一顆256Mb(32MB)容量的SRAM存儲晶片,這也是新工藝落地傳統的第一步。

在三星路線圖上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節點,其他則是升級改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

三星將在3nm工藝上第一次應用GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)技術,再次實現了電晶體結構的突破,比現在的FinFET立體電晶體又是一大飛躍。

GAAFET技術又分為兩種類型,一是常規GAAFET,使用納米線(nanowire)作為電晶體的鰭(fin),二是MBCFET(多橋通道場效應電晶體),使用的鰭更厚更寬一些,稱之為納米片(nanosheet)。

三星的第一顆3nm SRAM晶片用的就是MBCFET,容量256Mb,面積56平方毫米,最令三星驕傲的就是超低功耗,寫入電壓只需要區區0.23V,這要感謝MBCFET的多種省電技術。

按照三星的說法,3GAE工藝相比於其7LPP,可將電晶體密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或許,這可以讓三星更好地控制晶片功耗、發熱,避免再出現所謂的「翻車」。

三星3nm預計明年投入量產,但尚未公佈任何客戶。

台積電方面,3nm繼續使用FinFET技術,號稱相比於5nm電晶體密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,預計今年晚些時候投入試產,明年量產,客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等,甚至據說Intel也會用。

責任編輯: 夏雨荷  來源:快科技 轉載請註明作者、出處並保持完整。

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