圖為紫光集團。（美聯社圖片）
清華紫光集團債券違約後，因資金不足、缺乏人才和技術資源，其所牽頭的兩項備受矚目的晶片項目陷入停滯。這兩個項目總投資額約達2,000億元人民幣，分別是中國成都的大型3D NAND工廠，和重慶的DRAM工廠。
《日經亞洲新聞》11月30日報道，中國科技公司清華紫光牽頭的兩個備受矚目的晶片項目遭到嚴重推遲。
清華紫光是中共實現晶片自給自足的「中國製造2025」計劃的參與者之一。
兩年前，隨着美中科技領域緊張關係升溫，清華紫光董事長趙偉國稱，該公司將在未來10年斥資1,000億美元，並很快就宣佈了兩個大型晶片項目。
第一個項目是計劃在中國成都建造大型3D NAND閃存工廠，其目的是在成都重建長江存儲的運營模式。最初的產能設定為每月10萬片，之後將擴大到30萬片，約佔目前全球產量的20%。
第二個項目是重慶的DRAM存儲晶片工廠。這兩個項目總投資高達2,000億元人民幣（304.3億美元）。
DRAM是內存晶片市場的關鍵領域，目前由三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）控制。
清華大學邀請日本爾必達記憶體（Elpida Memory）前首席執行長坂本幸男（Yukio Sakamoto）共同領導DRAM開發，重慶工廠計劃2020年開工建設。爾必達曾是全球最大的記憶體晶片製造商之一。然而，據知情人士透露，該晶片工廠的建設一直處於停滯狀態，因此該晶片工廠不太可能按計劃在2022年開始大規模生產。
一位消息人士表示，「DRAM項目目前正面臨延遲，因為沒有足夠的人才和可靠的技術來源來快速推進。」
另據兩名熟悉該項目的人士透露，成都NAND項目的建設已在早期階段陷入停滯，沒有跡象表明何時會恢復，也沒有接到晶片生產設備的訂單。
一位消息人士表示，「清華紫光本身沒有足夠的資金，它很像一家控股公司和運營商。」而中國的晶片項目大多依靠地方政府和中央政府資助。
近期，由於中國許多晶片項目爛尾，中共發改委稱，如果地方政府監管的項目失敗，地方將承擔全部責任。
周六（11月28日），中共工業和信息化部副部長王志軍在一個論壇上表示，晶片製造行業出現了大量「盲目投資」、詐騙項目和爛尾工程，這與此前在鋼鐵和水泥領域出現的過度投資類似。
報道稱，目前，中共地方政府已經不願救助陷入困境的晶片企業。
